Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Domov
Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR

část skladu: 194309

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/H

část skladu: 192644

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR3

část skladu: 125355

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 120ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/H

část skladu: 131683

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/H

část skladu: 113290

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/I

část skladu: 185055

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR3

část skladu: 180703

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR3

část skladu: 162491

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 120ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/H

část skladu: 132072

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/H

část skladu: 136967

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 120ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR

část skladu: 178639

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR3

část skladu: 156019

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/I

část skladu: 190141

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/I

část skladu: 171388

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/I

část skladu: 102534

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR3

část skladu: 173966

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/I

část skladu: 115903

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/I

část skladu: 182526

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/H

část skladu: 172130

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/I

část skladu: 108801

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR3

část skladu: 111269

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/I

část skladu: 118403

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 120ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR3

část skladu: 119326

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR

část skladu: 190073

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR3

část skladu: 103238

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR3

část skladu: 180365

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR

část skladu: 170299

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 120ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/H

část skladu: 116233

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/H

část skladu: 112902

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/I

část skladu: 132466

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-M3/TR3

část skladu: 181386

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/H

část skladu: 194033

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/I

část skladu: 123257

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-E3/TR3

část skladu: 130377

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-E3/TR3

část skladu: 175101

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/H

část skladu: 102483

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

3600

«
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
»