Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Domov
Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TR

část skladu: 173494

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW56-TR

část skladu: 187466

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TR

část skladu: 191673

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TR

část skladu: 172184

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1500V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 20µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TAP

část skladu: 190341

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TR

část skladu: 147603

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TAP

část skladu: 123328

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.07V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TR

část skladu: 188604

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TAP

část skladu: 191488

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TAP

část skladu: 168015

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STR

část skladu: 146211

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.4V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TR

část skladu: 159673

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 30ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TR

část skladu: 150205

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TR

část skladu: 133955

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TR

část skladu: 120246

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TR

část skladu: 129638

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TR

část skladu: 101825

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TR

část skladu: 136092

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TAP

část skladu: 171145

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TR

část skladu: 122323

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TR

část skladu: 171100

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STR

část skladu: 198364

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.4V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TAP

část skladu: 189810

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TR

část skladu: 113210

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 30ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TR

část skladu: 120006

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TAP

část skladu: 148264

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TR

část skladu: 180394

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TR

část skladu: 176295

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TAP

část skladu: 172719

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TAP

část skladu: 186525

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TAP

část skladu: 133078

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TR

část skladu: 148751

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52B-TAP

část skladu: 190774

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TR

část skladu: 190671

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TR

část skladu: 150177

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TR

část skladu: 100202

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

3600

«
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
»