Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

BYG24G-M3/TR

část skladu: 160213

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

část skladu: 141773

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

část skladu: 131968

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

část skladu: 182415

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

část skladu: 178714

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

část skladu: 104636

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

část skladu: 136458

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

část skladu: 128490

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

část skladu: 129800

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1300V, Current - Average Rectified (Io): 1A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

část skladu: 120649

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

část skladu: 155324

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

část skladu: 188118

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

část skladu: 135545

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

část skladu: 137182

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

část skladu: 196477

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

část skladu: 116559

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

část skladu: 167113

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

část skladu: 151425

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

část skladu: 167334

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

část skladu: 177836

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

část skladu: 116100

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

část skladu: 126510

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

část skladu: 113240

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

část skladu: 197556

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

část skladu: 112695

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

část skladu: 164441

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

část skladu: 174425

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

část skladu: 199071

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

část skladu: 120482

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

část skladu: 162395

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

část skladu: 109092

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

část skladu: 111717

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 120ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

část skladu: 162156

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

část skladu: 131985

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

část skladu: 142403

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

část skladu: 178334

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání