Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 31A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA,
Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 145mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,
Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.5A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A, 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,
Typ FET: N and P-Channel, Common Drain, Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.4A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA,
Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,
Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A, 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A, 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,
Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,
Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
