Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

BYM12-300HE3_A/H

část skladu: 273

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200HE3/97

část skladu: 146674

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800-E3/96

část skladu: 150291

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TAP

část skladu: 108452

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 150mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 250mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TAP

část skladu: 154468

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 30mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TR

část skladu: 158822

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 30mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TAP

část skladu: 159155

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TR

část skladu: 197051

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 150mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 10mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TR

část skladu: 122405

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 900mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TR

část skladu: 119842

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 100mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAY135-TAP

část skladu: 148532

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 125V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 30mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TAP

část skladu: 128512

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 30mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TAP

část skladu: 196580

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 100mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TR

část skladu: 102104

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TAP

část skladu: 107935

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 900mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TR

část skladu: 101978

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS33-TAP

část skladu: 109507

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TR

část skladu: 182695

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TAP

část skladu: 142042

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TR

část skladu: 194217

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TAP

část skladu: 116168

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TAP

část skladu: 118002

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TAP

část skladu: 110674

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 50mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TAP

část skladu: 116604

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 30mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TAP

část skladu: 189935

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TR

část skladu: 111895

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS581-02V-V-G-08

část skladu: 123251

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 370mV @ 1mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-08

část skladu: 184839

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR

část skladu: 175613

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/I

část skladu: 130523

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 120ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/H

část skladu: 112559

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR3

část skladu: 191280

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR3

část skladu: 131337

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR

část skladu: 166092

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/I

část skladu: 116282

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/I

část skladu: 173970

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání