Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Domov
Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TAP

část skladu: 122912

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1400V, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 400mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 400ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TR

část skladu: 170832

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 55V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.07V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TR

část skladu: 169988

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TR

část skladu: 158535

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 2400V, Current - Average Rectified (Io): 350mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 3.6V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 5µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TAP

část skladu: 133807

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TR

část skladu: 166239

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TAP

část skladu: 162849

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TR

část skladu: 154344

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TAP

část skladu: 127685

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1500V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TAP

část skladu: 178566

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TAP

část skladu: 107418

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TAP

část skladu: 155091

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TAP

část skladu: 140893

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TR

část skladu: 113210

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TR

část skladu: 120137

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TR

část skladu: 176417

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TR

část skladu: 161256

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TR

část skladu: 147051

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TAP

část skladu: 127986

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TR

část skladu: 178212

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TR

část skladu: 142835

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TR

část skladu: 156566

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TAP

část skladu: 198030

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TR

část skladu: 197736

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.65V @ 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TR

část skladu: 132572

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STAP

část skladu: 198779

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.4V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TR

část skladu: 168310

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 500V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TAP

část skladu: 129025

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TAP

část skladu: 197129

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TAP

část skladu: 143955

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TAP

část skladu: 135313

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.65V @ 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TAP

část skladu: 191378

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TAP

část skladu: 199601

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TAP

část skladu: 116196

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání

BYM12-300-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300-E3/96

část skladu: 143123

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

BYM12-400HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3_A/I

část skladu: 205

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

3600

«
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
»