Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
CUS05S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S30,H3F

část skladu: 141424

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 340mV @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

část skladu: 175222

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 230mV @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

část skladu: 21594

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 10V, Current - Average Rectified (Io): 10mA (DC), Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání
CTS520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

část skladu: 122854

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

část skladu: 159042

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

část skladu: 172576

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 400mV @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

část skladu: 158502

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání
CTS05S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

část skladu: 114342

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 340mV @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

část skladu: 155708

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání
CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

část skladu: 159752

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CUS05S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

část skladu: 139868

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 350mV @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

část skladu: 11358

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání
CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

část skladu: 144392

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

část skladu: 184133

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 370mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

část skladu: 139204

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 460mV @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

část skladu: 121678

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 980mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

část skladu: 183971

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 360mV @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

část skladu: 104302

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 360mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

část skladu: 164330

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 370mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

část skladu: 112076

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

část skladu: 193256

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 220mV @ 10mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CBS10F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

část skladu: 8420

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CUS10F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

část skladu: 4875

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 670mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

část skladu: 181235

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 280mV @ 10mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CUS05F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

část skladu: 4923

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 810mV @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CUS05F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

část skladu: 151245

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
CTS05F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

část skladu: 8357

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 810mV @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání