Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Domov
Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

část skladu: 117530

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 1.6ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

část skladu: 116

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

část skladu: 131

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

část skladu: 111

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

část skladu: 161

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

část skladu: 176168

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

část skladu: 156192

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 50mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 50mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

část skladu: 201

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 200mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

1SS401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

část skladu: 122602

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 300mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 300mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

část skladu: 2303

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

část skladu: 1533

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 50mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

část skladu: 154898

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 10V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

část skladu: 152629

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání

1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

část skladu: 136052

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

část skladu: 175794

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 60ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

část skladu: 1558

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 60ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

část skladu: 146552

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

část skladu: 180671

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 50mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 50mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

část skladu: 113319

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

část skladu: 108515

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 620mV @ 50mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

část skladu: 21577

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 620mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

část skladu: 106441

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 50mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 50mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

část skladu: 119305

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 10V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

část skladu: 129010

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 10V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

část skladu: 138564

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 1.6ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

část skladu: 174948

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 300mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 300mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

část skladu: 106991

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

část skladu: 126326

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

část skladu: 172900

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 60ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

část skladu: 154455

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

část skladu: 8357

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 3ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

část skladu: 8339

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 3ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

část skladu: 8339

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 3ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

část skladu: 6216

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

část skladu: 176414

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

část skladu: 162705

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

207

«
1
2
3
4
5
6
»