Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 6

CMS17(TE12L,Q,M)

část skladu: 117

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 480mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

část skladu: 100

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

část skladu: 88

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 3V @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

část skladu: 166057

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 490mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

část skladu: 177271

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

část skladu: 79

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 400mV @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

část skladu: 163

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

část skladu: 194437

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

část skladu: 185173

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

část skladu: 157727

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 700mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 700mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

část skladu: 160805

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 980mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

část skladu: 142

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 360mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

část skladu: 160837

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

část skladu: 187277

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

část skladu: 192

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

část skladu: 104522

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

část skladu: 152

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 520mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

část skladu: 178640

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 200mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

část skladu: 160204

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 200mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65C,S1Q

část skladu: 5730

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

část skladu: 236

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 700mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

část skladu: 113027

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

část skladu: 200

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 390mV @ 700mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

část skladu: 182845

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

část skladu: 177

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15I30A(TE85L,QM

část skladu: 158

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 460mV @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

část skladu: 162

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 980mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

část skladu: 175

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 700mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 520mV @ 700mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

část skladu: 154

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 370mV @ 700mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

část skladu: 159

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

část skladu: 168712

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 980mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

část skladu: 153282

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

část skladu: 171

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I30A(TE12L,QM

část skladu: 187

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 490mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

část skladu: 184

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

část skladu: 172

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání