Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 6

CRG09(TE85L,Q,M)

část skladu: 193

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 700mA, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

část skladu: 250

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 700mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 700mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

část skladu: 223

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

část skladu: 162

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 490mV @ 700mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

část skladu: 183

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 700mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 700mA, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

část skladu: 178

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

část skladu: 166

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 490mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

část skladu: 130001

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

část skladu: 2615

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

část skladu: 2547

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.55V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

část skladu: 2587

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.55V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

část skladu: 2557

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.58V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

část skladu: 2558

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

část skladu: 2588

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.98V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

část skladu: 2552

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

část skladu: 2596

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.47V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

část skladu: 2554

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.58V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

část skladu: 2598

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.98V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

část skladu: 2581

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.98V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

část skladu: 2562

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.58V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

část skladu: 2544

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.55V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

část skladu: 2597

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.55V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

část skladu: 2590

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.55V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

část skladu: 2608

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

část skladu: 2533

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.98V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

část skladu: 2549

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.47V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

část skladu: 2564

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.58V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

část skladu: 2613

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.58V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

část skladu: 2603

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

část skladu: 2602

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.58V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

část skladu: 5263

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.58V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

část skladu: 2547

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

část skladu: 2552

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.58V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

část skladu: 5332

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

část skladu: 2062

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 400mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

část skladu: 102694

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání