Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 6

CBS05F30(TPL3)

část skladu: 1645

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

část skladu: 131336

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 620mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

část skladu: 1424

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.47V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

část skladu: 1267

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

část skladu: 1440

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.47V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

část skladu: 1359

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 0.98V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

část skladu: 1368

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

část skladu: 1091

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

část skladu: 1170

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 700mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 700mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

část skladu: 1121

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

část skladu: 852

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

část skladu: 101221

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 510mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

část skladu: 779

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 470mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

část skladu: 186793

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 360mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

část skladu: 9971

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

část skladu: 186045

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

část skladu: 161979

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 360mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

část skladu: 122216

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 215mA, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

část skladu: 168808

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 470mV @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

část skladu: 784

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 390mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

část skladu: 171031

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 400mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

část skladu: 142010

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 140mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 1.5ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

část skladu: 262

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

část skladu: 173

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 510mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

část skladu: 183

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 400mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

část skladu: 211

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 370mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

část skladu: 213

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

část skladu: 196

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 460mV @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

část skladu: 264

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 360mV @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

část skladu: 5028

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 980mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

část skladu: 200

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 360mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

část skladu: 264

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 360mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

část skladu: 178

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 370mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

část skladu: 129014

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 370mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

část skladu: 124325

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 400mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

část skladu: 143420

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání