Diody - Zenerovy - jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 1

CRZ13(TE85L,Q,M)

část skladu: 99

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 13V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 9V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

část skladu: 140

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 20V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 14V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

část skladu: 137

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 36V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 28.8V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

část skladu: 176

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 6.2V, Tolerance: ±9.68%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 60 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 3V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

část skladu: 141

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 16V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 11V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

část skladu: 172

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 30V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 21V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

část skladu: 86

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 24V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 17V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

část skladu: 127

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 22V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 16V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

část skladu: 153

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 10V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 6V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

část skladu: 98

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 11V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 7V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

část skladu: 114

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 27V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 19V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

část skladu: 118

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 18V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 13V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

část skladu: 89

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 12V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 8V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

část skladu: 142

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 47V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 65 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 37.6V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

část skladu: 173943

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 15V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 10V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

část skladu: 170

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 43V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 40 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 34.4V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

část skladu: 150

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 39V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 35 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 31.2V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

část skladu: 8202

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 10V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 6V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

část skladu: 3906

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 22V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 16V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

část skladu: 8171

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 47V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 65 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 37.6V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

část skladu: 8174

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 30V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 21V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

část skladu: 5464

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 33V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 26.4V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

část skladu: 8245

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 12V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 8V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

část skladu: 8173

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 11V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 7V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

část skladu: 152718

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 6.8V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 60 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 3V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

část skladu: 127852

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 8.2V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 4.9V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

část skladu: 138193

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 7.5V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 4.5V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

část skladu: 5349

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 9.1V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 5.5V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

část skladu: 5364

Napětí - Zener (jmen.) (Vz): 18V, Tolerance: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedance (max.) (Zzt): 30 Ohms, Aktuální - zpětný únik @ Vr: 10µA @ 13V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA,

Seznam přání