Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn
RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104,LF(CT

část skladu: 176974

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1116MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116MFV,L3F

část skladu: 1741

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110ACT(TPL3)

část skladu: 116110

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN1309,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309,LF

část skladu: 1726

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání
RN2112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

část skladu: 133617

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN1119MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1119MFV,L3F

část skladu: 1717

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2421(TE85L,F)

část skladu: 103457

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 800mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 1 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Seznam přání
RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1301,LF

část skladu: 114770

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113ACT(TPL3)

část skladu: 192815

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN1113MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113MFV,L3F

část skladu: 1776

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN2105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105ACT(TPL3)

část skladu: 181928

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111ACT(TPL3)

část skladu: 185360

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN1132MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1132MFV,L3F

část skladu: 1709

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 200 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115MFV,L3F

část skladu: 116839

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103ACT(TPL3)

část skladu: 125855

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1118MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118MFV,L3F

část skladu: 3186

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

část skladu: 138320

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

část skladu: 1723

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

část skladu: 154084

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání