Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn

Domov
Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404TE85LF

část skladu: 1976

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402S,LF

část skladu: 1953

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104MFV,L3F

část skladu: 1980

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF(D

část skladu: 1961

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2106(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106(T5L,F,T)

část skladu: 1986

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104CT(TPL3)

část skladu: 1925

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111CT(TPL3)

část skladu: 2043

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

RN1105ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105ACT(TPL3)

část skladu: 1932

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406S,LF(D

část skladu: 1944

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN1108(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108(T5L,F,T)

část skladu: 2027

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2108ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108ACT(TPL3)

část skladu: 1975

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1316,LF

část skladu: 199880

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113CT(TPL3)

část skladu: 1959

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

RN1108ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108ACT(TPL3)

část skladu: 1901

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

část skladu: 9941

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103MFV,L3F

část skladu: 1966

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103CT(TPL3)

část skladu: 1955

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN1413(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1413(TE85L,F)

část skladu: 169265

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

RN1111ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111ACT(TPL3)

část skladu: 1945

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

RN2118(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118(T5L,F,T)

část skladu: 1956

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108CT(TPL3)

část skladu: 1979

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN1106ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106ACT(TPL3)

část skladu: 2028

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102ACT(TPL3)

část skladu: 1977

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104CT(TPL3)

část skladu: 1987

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109CT(TPL3)

část skladu: 1950

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2104ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104ACT(TPL3)

část skladu: 2045

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103CT(TPL3)

část skladu: 3230

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN1104ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104ACT(TPL3)

část skladu: 1956

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2303(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2303(TE85L,F)

část skladu: 126325

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2107ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107ACT(TPL3)

část skladu: 2063

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1441ATE85LF

část skladu: 176769

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 300mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 5.6 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108CT(TPL3)

část skladu: 2026

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN1101ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101ACT(TPL3)

část skladu: 1962

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

část skladu: 120698

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1414,LF

část skladu: 112225

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2313(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2313(TE85L,F)

část skladu: 163677

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

199

«
1
2
3
4
5
6
»