Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn

Domov
Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115,LF(CT

část skladu: 116693

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1426TE85LF

část skladu: 126115

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 800mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1401,LF

část skladu: 151885

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111,LF(CT

část skladu: 113

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

RN2317(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2317(TE85L,F)

část skladu: 180586

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1130MFV,L3F

část skladu: 140527

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108MFV,L3F

část skladu: 149

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2103(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103(T5L,F,T)

část skladu: 2147

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104T5LFT

část skladu: 2144

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1409,LF

část skladu: 120898

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2302,LF

část skladu: 145

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2403,LF

část skladu: 88

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110MFV,L3F

část skladu: 174

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1427TE85LF

část skladu: 108821

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 800mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1315,LF

část skladu: 166

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2412TE85LF

část skladu: 119344

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2409,LF

část skladu: 182087

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2109ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109ACT(TPL3)

část skladu: 2148

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1307,LF

část skladu: 145

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1302,LF

část skladu: 2227

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2308(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2308(TE85L,F)

část skladu: 2150

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1422TE85LF

část skladu: 124907

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 800mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V,

Seznam přání

RN1114(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1114(T5L,F,T)

část skladu: 2223

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109,LF(CT

část skladu: 140640

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2116,LF(CT

část skladu: 149505

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN1110ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110ACT(TPL3)

část skladu: 3291

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

RN2310(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2310(TE85L,F)

část skladu: 174145

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102,LF(CT

část skladu: 105795

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111MFV,L3F

část skladu: 125

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2427TE85LF

část skladu: 131174

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 800mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1442ATE85LF

část skladu: 2201

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 300mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Seznam přání

RN2304(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2304(TE85L,F)

část skladu: 192778

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN1116(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116(TE85L,F)

část skladu: 2175

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN1309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309(TE85L,F)

část skladu: 2140

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN2318(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2318(TE85L,F)

část skladu: 150561

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

RN1113ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113ACT(TPL3)

část skladu: 2200

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

199

«
1
2
3
4
5
6
»