Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn | Diskrétní polovodičové v&yacu | 6

RN1112(T5L,F,T)

část skladu: 1924

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

část skladu: 126227

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

část skladu: 1912

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

část skladu: 100188

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

část skladu: 1954

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

část skladu: 1987

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

část skladu: 1976

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

část skladu: 1970

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

část skladu: 1984

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

část skladu: 2177

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

část skladu: 1902

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404,LF

část skladu: 9904

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1306,LF

část skladu: 116634

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1444ATE85LF

část skladu: 1960

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 300mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107ACT(TPL3)

část skladu: 2029

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110CT(TPL3)

část skladu: 1997

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107MFV,L3F

část skladu: 128621

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107CT(TPL3)

část skladu: 1985

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109MFV,L3F

část skladu: 1935

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

část skladu: 1956

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113CT(TPL3)

část skladu: 2014

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

část skladu: 176393

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113(T5L,F,T)

část skladu: 158736

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

část skladu: 147458

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

část skladu: 1999

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

část skladu: 1905

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

část skladu: 1959

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

část skladu: 1945

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

část skladu: 159037

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

část skladu: 1965

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

část skladu: 1933

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

část skladu: 3234

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

část skladu: 1981

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

část skladu: 184462

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

část skladu: 140630

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

část skladu: 164879

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání