Diody - Usměrňovače - Jednoduché

IDC05S60CEX1SA1

část skladu: 2377

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA1

část skladu: 5266

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 2A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA1

část skladu: 2371

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 9A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 9A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDC08S60CEX1SA2

část skladu: 2399

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA1

část skladu: 2331

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 2A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDP30E120XKSA1

část skladu: 34878

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 50A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.15V @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 243ns,

IDB06S60CATMA2

část skladu: 2626

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH101DB6

část skladu: 2341

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 360ns,

IRD3CH24DF6

část skladu: 2382

IDK12G65C5XTMA1

část skladu: 2311

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDC04S60CEX7SA1

část skladu: 2434

IDL04G65C5XUMA1

část skladu: 2353

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDW75E60FKSA1

část skladu: 1516

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 120A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 75A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 121ns,

IDK06G65C5XTMA1

část skladu: 2335

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH11DF6

část skladu: 2342

IDW40G65C5XKSA1

část skladu: 4319

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 40A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 40A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDC08S60CEX7SA1

část skladu: 2440

IDW15S120FKSA1

část skladu: 2436

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 15A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 15A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH12G65C5XKSA1

část skladu: 2289

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

D1050N14TXPSA1

část skladu: 2299

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1400V, Current - Average Rectified (Io): 1050A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1000A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH12G65C6XKSA1

část skladu: 12700

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 27A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH82DB6

část skladu: 5258

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 355ns,

IDL08G65C5XUMA1

část skladu: 2367

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH24DD6

část skladu: 5312

IDW15E65D2FKSA1

část skladu: 41876

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 30A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 47ns,

IRD3CH53DF6

část skladu: 2322

D1050N16TXPSA1

část skladu: 2266

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Current - Average Rectified (Io): 1050A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1000A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH20G65C6XKSA1

část skladu: 8465

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 41A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH24DB6

část skladu: 5317

IRD3CH16DF6

část skladu: 2362

IDW10G65C5XKSA1

část skladu: 12731

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH101DF6

část skladu: 2365

IDK10G65C5XTMA1

část skladu: 2337

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH16G120C5XKSA1

část skladu: 6043

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 16A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.95V @ 16A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH31DF6

část skladu: 2321

IRD3CH42DF6

část skladu: 2347