Diody - Usměrňovače - Jednoduché

D2700U45X122XOSA1

část skladu: 287

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 4500V, Current - Average Rectified (Io): 2900A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

část skladu: 324

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 9000V, Current - Average Rectified (Io): 1790A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 5.5V @ 4000A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

část skladu: 307

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 4500V, Current - Average Rectified (Io): 2380A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.5V @ 2500A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

část skladu: 304

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 8500V, Current - Average Rectified (Io): 3040A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

část skladu: 5330

IDP45E60XKSA1

část skladu: 38822

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 71A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 45A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

IDP23011XUMA1

část skladu: 34916

IDK04G65C5XTMA1

část skladu: 2364

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH53DB6

část skladu: 2397

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

část skladu: 9090

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 16A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 16A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH9DB6

část skladu: 2378

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 154ns,

IRD3CH16DD6

část skladu: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

část skladu: 1902

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 42A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 40A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 76ns,

IRD3CH42DD6

část skladu: 2407

IRD3CH101DD6

část skladu: 2319

IDW40E65D2FKSA1

část skladu: 30469

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 40A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

IRD3CH82DF6

část skladu: 2356

IRD3CH16DB6

část skladu: 2357

IRD3CH5BD6

část skladu: 5238

IDC08S60CEX1SA3

část skladu: 2424

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

část skladu: 10387

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.95V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

část skladu: 2297

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 2A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

část skladu: 7574

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

část skladu: 2364

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH31DB6

část skladu: 2327

IDB10S60CATMA2

část skladu: 5332

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH42DB6

část skladu: 2339

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 75A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 75A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 285ns,

IRD3CH82DD6

část skladu: 2324

IRD3CH11DB6

část skladu: 2369

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 25A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

část skladu: 2324

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH5DB6

část skladu: 5234

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

část skladu: 68501

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

část skladu: 2296

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

část skladu: 2355

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

část skladu: 2298

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 3A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

část skladu: 2285

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,