Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 4500V, Current - Average Rectified (Io): 2900A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 9000V, Current - Average Rectified (Io): 1790A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 5.5V @ 4000A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 4500V, Current - Average Rectified (Io): 2380A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.5V @ 2500A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 8500V, Current - Average Rectified (Io): 3040A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 71A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 45A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 270ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 16A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 16A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 154ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 42A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 40A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 76ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 40A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.95V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 2A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 75A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 75A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 285ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 25A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 190ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.7V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 96ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 40ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 3A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,