Diody - Usměrňovače - Jednoduché

IDH04G65C5XKSA1

část skladu: 1650

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH10G65C5XKSA1

část skladu: 1661

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDW40G65C5FKSA1

část skladu: 3993

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 40A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 40A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDB09E60ATMA1

část skladu: 1517

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 19.3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 9A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

IDV04S60CXKSA1

část skladu: 1551

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDY15S120XKSA1

část skladu: 1556

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 7.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDP04E120

část skladu: 1480

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 11.2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.15V @ 4A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 115ns,

IDP23E60

část skladu: 1484

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 41A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 23A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 120ns,

IDD03E60BUMA1

část skladu: 1500

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 7.3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 62ns,

IDW20G65C5FKSA1

část skladu: 1234

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

HFA15TB60PBF

část skladu: 44119

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 60ns,

IDL06G65C5XUMA1

část skladu: 1396

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDB18E120ATMA1

část skladu: 1262

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 31A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.15V @ 18A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 195ns,

IDH16G65C5XKSA1

část skladu: 1262

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 16A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 16A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDT05S60CHKSA1

část skladu: 1377

IRD3CH9DF6

část skladu: 1391

IDH05G65C5XKSA1

část skladu: 1235

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH53DD6

část skladu: 1378

IDY10S120XKSA1

část skladu: 1261

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDD04S60CBUMA1

část skladu: 1318

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5.6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDT04S60CHKSA1

část skladu: 1373

IDW10S120FKSA1

část skladu: 1361

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IRD3CH11DD6

část skladu: 1353

SDP06S60

část skladu: 1035

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH02G120C5XKSA1

část skladu: 23390

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.65V @ 2A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDM02G120C5XTMA1

část skladu: 49472

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.65V @ 2A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

SIDC26D60C6

část skladu: 5159

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 100A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 100A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC06D60AC6X1SA1

část skladu: 1106

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.95V @ 20A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC24D30SIC3

část skladu: 1116

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

SDP10S30

část skladu: 5134

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

SIDC06D120H6X1SA4

část skladu: 1137

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 7.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 7.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH08SG60CXKSA1

část skladu: 868

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDD05SG60CXTMA1

část skladu: 873

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDD10SG60CXTMA1

část skladu: 815

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDD09SG60CXTMA1

část skladu: 852

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 9A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 9A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDV03S60CXKSA1

část skladu: 868

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 3A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,