Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Domov
Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Infineon Technologies

IDH15S120AKSA1

část skladu: 889

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 15A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 15A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDD12SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD12SG60CXTMA1

část skladu: 20456

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDH04SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH04SG60CXKSA1

část skladu: 817

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

Infineon Technologies

IDH05S120AKSA1

část skladu: 891

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDH03SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH03SG60CXKSA1

část skladu: 855

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 3A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDH05SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH05SG60CXKSA1

část skladu: 839

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDH02SG120XKSA1

Infineon Technologies

IDH02SG120XKSA1

část skladu: 831

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 2A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDH10SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH10SG60CXKSA1

část skladu: 816

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDD06SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD06SG60CXTMA1

část skladu: 813

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

Infineon Technologies

IDH10S120AKSA1

část skladu: 888

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

Infineon Technologies

IDH08S120AKSA1

část skladu: 810

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 7.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 7.5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDH12SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH12SG60CXKSA1

část skladu: 900

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

Infineon Technologies

IDB06S60C

část skladu: 5151

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDD08SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD08SG60CXTMA1

část skladu: 811

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDH06SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH06SG60CXKSA1

část skladu: 5122

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

Infineon Technologies

IDV02S60CXKSA1

část skladu: 828

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 2A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDH09SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH09SG60CXKSA1

část skladu: 812

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 9A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 9A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

Infineon Technologies

IDB10S60C

část skladu: 875

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

IDD04SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD04SG60CXTMA1

část skladu: 834

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5.6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

Infineon Technologies

IDH06S60CAKSA1

část skladu: 502

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

Infineon Technologies

SIDC06D60C6

část skladu: 477

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.95V @ 20A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

SIDC78D170HX1SA1

Infineon Technologies

SIDC78D170HX1SA1

část skladu: 521

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1700V, Current - Average Rectified (Io): 150A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 150A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Infineon Technologies

IDH04S60CAKSA1

část skladu: 556

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

SIDC09D60E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC09D60E6X1SA1

část skladu: 552

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání

SIDC30D60E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC30D60E6X1SA1

část skladu: 571

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 75A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 75A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

SIDC73D170E6X1SA2

Infineon Technologies

SIDC73D170E6X1SA2

část skladu: 517

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1700V, Current - Average Rectified (Io): 100A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.15V @ 100A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Infineon Technologies

SIDC16D60SIC3

část skladu: 502

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

SIDC56D120E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC56D120E6X1SA1

část skladu: 5106

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 75A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 75A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

SIDC23D120F6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC23D120F6X1SA1

část skladu: 552

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 25A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 25A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

SIDC09D60E6YX1SA1

Infineon Technologies

SIDC09D60E6YX1SA1

část skladu: 523

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání

Infineon Technologies

SIDC08D60C6Y

část skladu: 497

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 30A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.95V @ 30A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Infineon Technologies

SIDC14D60C6Y

část skladu: 543

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 50A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 50A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

SIDC08D120H6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC08D120H6X1SA1

část skladu: 504

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

SIDC56D170E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC56D170E6X1SA1

část skladu: 577

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1700V, Current - Average Rectified (Io): 75A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.15V @ 75A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

SIDC09D60E6 UNSAWN

Infineon Technologies

SIDC09D60E6 UNSAWN

část skladu: 518

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání

SIDC02D60F6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC02D60F6X1SA1

část skladu: 525

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

513

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»