Tranzistory - FET, MOSFET - pole | Diskrétní polovodičové v&yacu | 11

2N7002DW L6327

část skladu: 2853

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

2N7002DWH6327XTSA1

část skladu: 174403

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

94-3449

část skladu: 2628

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7103Q

část skladu: 3052

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7309QTR

část skladu: 108112

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7343QTR

část skladu: 94872

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7303QTR

část skladu: 101171

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF9952Q

část skladu: 2919

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7379Q

část skladu: 2916

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7342Q

část skladu: 3348

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7341Q

část skladu: 2859

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7319Q

část skladu: 2903

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7313Q

část skladu: 2913

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7316Q

část skladu: 5424

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7304Q

část skladu: 2891

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7309Q

část skladu: 2875

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7303Q

část skladu: 2880

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7343Q

část skladu: 2791

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRFN8459TR

část skladu: 64112

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRFN8458TR

část skladu: 79588

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7341QTR

část skladu: 89718

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7319QTR

část skladu: 89679

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7316QTR

část skladu: 89739

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7342QTR

část skladu: 91383

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7313QTR

část skladu: 94924

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7304QTR

část skladu: 101244

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7379QTR

část skladu: 101249

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF7103QTR

část skladu: 121994

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

AUIRF9952QTR

část skladu: 125213

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSL308CH6327XTSA1

část skladu: 146163

Typ FET: N and P-Channel Complementary, Funkce FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.3A, 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSC0911NDATMA1

část skladu: 94888

Typ FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funkce FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSO615NGHUMA1

část skladu: 20316

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSO330N02KGFUMA1

část skladu: 3005

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

BTS7904SAKSA1

část skladu: 2985

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSO4804HUMA2

část skladu: 2904

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSL806NL6327HTSA1

část skladu: 2870

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA,

Seznam přání