Diody - Usměrňovače - Jednoduché

IRD3CH31DD6

část skladu: 2359

D770N14TXPSA1

část skladu: 2110

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1400V, Current - Average Rectified (Io): 770A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.08V @ 400A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDV30E65D2XKSA1

část skladu: 46154

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 30A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.2V @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 42ns,

IDV20E65D1XKSA1

část skladu: 47923

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 28A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 42ns,

IDH08G65C6XKSA1

část skladu: 18927

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

D770N12TXPSA1

část skladu: 2033

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 770A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.08V @ 400A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1050N12TXPSA1

část skladu: 2267

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 1050A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1000A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP08E65D1XKSA1

část skladu: 67894

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 80ns,

D770N20TXPSA1

část skladu: 2099

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 2000V, Current - Average Rectified (Io): 770A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.08V @ 400A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N20TXPSA1

část skladu: 2264

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 2000V, Current - Average Rectified (Io): 820A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 750A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH05G120C5XKSA1

část skladu: 13098

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH10G120C5XKSA1

část skladu: 8281

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDP15E65D2XKSA1

část skladu: 59599

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 47ns,

IDW12G65C5XKSA1

část skladu: 12018

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH20G120C5XKSA1

část skladu: 4502

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 56A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDV06S60CXKSA1

část skladu: 1555

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

HFA15PB60PBF

část skladu: 26323

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 60ns,

IDH06G65C5XKSA1

část skladu: 1624

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDW30G65C5FKSA1

část skladu: 1668

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 30A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 30A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDW10G65C5FKSA1

část skladu: 1640

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDB12E120ATMA1

část skladu: 1490

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 28A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.15V @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

IDP09E120

část skladu: 1554

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 23A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.15V @ 9A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

IDH20G65C5XKSA1

část skladu: 1630

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDB23E60ATMA1

část skladu: 1521

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 41A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 23A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 120ns,

IDD03SG60CXTMA1

část skladu: 1478

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.3V @ 3A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDB15E60

část skladu: 1514

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 29.2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 87ns,

IDH03G65C5XKSA1

část skladu: 1609

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 3A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDV05S60CXKSA1

část skladu: 1514

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDW16G65C5FKSA1

část skladu: 5259

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 16A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 16A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDP06E60

část skladu: 1466

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 14.7A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 70ns,

IDH08G65C5XKSA1

část skladu: 1682

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDB45E60ATMA1

část skladu: 1500

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 71A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 45A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

IDW12G65C5FKSA1

část skladu: 1666

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA1

část skladu: 1642

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 9A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 9A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDH10G65C6XKSA1

část skladu: 15125

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 24A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

IDV30E60C

část skladu: 5572

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 21A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.05V @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 130ns,