Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 21

TPC8092,LQ(S

část skladu: 100135

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 7.5A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J36FS,LF

část skladu: 126552

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 330mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35CT,L3F

část skladu: 5771

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15ACT,L3F

část skladu: 154142

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8129,LQ(S

část skladu: 141142

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J56ACT,L3F

část skladu: 107046

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN6R003NL,LQ

část skladu: 195389

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 27A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 13.5A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K324R,LF

část skladu: 151670

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6H19NU,LF

část skladu: 184800

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1A, 8V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6111(TE85L,F,M)

část skladu: 154704

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN8R903NL,LQ

část skladu: 183096

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K2615TU,LF

část skladu: 7271

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15CT(TPL3)

část skladu: 112077

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN14006NH,L1Q

část skladu: 180682

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 6.5A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J207FE,LF

část skladu: 104477

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251 mOhm @ 650mA, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56MFV,L3F

část skladu: 128522

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 800mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN22006NH,LQ

část skladu: 147480

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1600ANH,L1Q

část skladu: 143024

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K345R,LF

část skladu: 112097

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J117TU,LF

část skladu: 180597

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 1A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R203NC,L1Q

část skladu: 167458

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 23A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 11.5A, 10V,

Seznam přání