Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

TK12A53D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A53D(STA4,Q,M)

část skladu: 31913

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 525V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8Q60W,S1VQ

část skladu: 36648

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání

TK3A65DA(STA4,QM)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK3A65DA(STA4,QM)

část skladu: 54078

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51 Ohm @ 1.3A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14G65W5,RQ

část skladu: 61791

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

Seznam přání

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

část skladu: 75895

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 40A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR8504PL,L1Q

část skladu: 64047

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TK100S04N1L,LQ

část skladu: 59911

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A65W,S5X

část skladu: 40074

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 3.4A, 10V,

Seznam přání

TK15A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK15A50D(STA4,Q,M)

část skladu: 43168

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.5A, 10V,

Seznam přání

TK5A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A55D(STA4,Q,M)

část skladu: 59442

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AFS,LF

část skladu: 146399

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TK10V60W,LVQ

část skladu: 45593

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 4.9A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2900ENH,L1Q

část skladu: 67627

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 33A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 16.5A, 10V,

Seznam přání

TK60E08K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

TK60E08K3,S1X(S

část skladu: 47246

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

TK8A60DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A60DA(STA4,Q,M)

část skladu: 45679

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A65W,S5X

část skladu: 41464

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.6A, 10V,

Seznam přání

TPCA8064-H,LQ(CM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8064-H,LQ(CM

část skladu: 77317

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TK160F10N1L,LQ

část skladu: 7982

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK3A60DA(STA4,Q,M)

část skladu: 68119

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V,

Seznam přání

TK6A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A50D(STA4,Q,M)

část skladu: 60129

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

Seznam přání

TK18E10K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

TK18E10K3,S1X(S

část skladu: 56261

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 9A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q65W,S1Q

část skladu: 51965

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V,

Seznam přání

TK6A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A45DA(STA4,Q,M)

část skladu: 65709

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 2.8A, 10V,

Seznam přání

TK7A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A55D(STA4,Q,M)

část skladu: 51660

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3.5A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q60W,S1VQ

část skladu: 45527

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820 mOhm @ 3.1A, 10V,

Seznam přání

TK9A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A45D(STA4,Q,M)

část skladu: 48218

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770 mOhm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

TK40E10K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

TK40E10K3,S1X(S

část skladu: 43237

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

TPCA8055-H,LQ(M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8055-H,LQ(M

část skladu: 60456

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 56A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 28A, 10V,

Seznam přání

TK12A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A60D(STA4,Q,M)

část skladu: 50578

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání

TK11A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK11A50D(STA4,Q,M)

část skladu: 38250

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 5.5A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A65W,S5X

část skladu: 38216

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.9A, 10V,

Seznam přání

TK8A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A45D(STA4,Q,M)

část skladu: 51493

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání

TK5A65DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A65DA(STA4,Q,M)

část skladu: 51848

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67 Ohm @ 2.3A, 10V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J327R,LF

část skladu: 111963

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K37MFV,L3F

část skladu: 146195

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Seznam přání

TK6A53D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A53D(STA4,Q,M)

část skladu: 55041

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 525V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

Seznam přání

741

«
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
»