Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
ES2FHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FHM4G

část skladu: 93

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
HS2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2G M4G

část skladu: 106

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SK320AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK320AHM2G

část skladu: 75

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S3MB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3MB M4G

část skladu: 69

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SK83C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V7G

část skladu: 111

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3G V7G

část skladu: 130

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
SK13B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK13B M4G

část skladu: 70

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2K M4G

část skladu: 97

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání
S12GC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12GC V6G

část skladu: 65

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS3M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3M V6G

část skladu: 56

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání
ESH3C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3C V6G

část skladu: 130

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 20ns,

Seznam přání
S12JC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V6G

část skladu: 107

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S1AB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1AB R5G

část skladu: 75

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS34 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34 V6G

část skladu: 126

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2A M4G

část skladu: 77

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SK84C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK84C V7G

část skladu: 140

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S12JC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V7G

část skladu: 89

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 12A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SK83C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V6G

část skladu: 142

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS320 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS320 V6G

část skladu: 90

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3B V7G

část skladu: 123

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SS29 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29 M4G

část skladu: 57

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS23HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23HM4G

část skladu: 115

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2KA M2G

část skladu: 105

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání
SK59BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK59BHM4G

část skladu: 61

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2MA M2G

část skladu: 130

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání
SS22HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22HR5G

část skladu: 112

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ESH2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2B R5G

část skladu: 76

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 900mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 20ns,

Seznam přání
S1MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MBHM4G

část skladu: 119

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK35AHR3G

část skladu: 53

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ESH1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1B R3G

část skladu: 144

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 900mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 15ns,

Seznam přání
US1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1GHR3G

část skladu: 102

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
ESH2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2BA R3G

část skladu: 67

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 900mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání
SS33 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS33 V6G

část skladu: 58

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S4K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4K V6G

část skladu: 87

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SK23A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK23A M2G

část skladu: 111

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SK19BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK19BHM4G

část skladu: 128

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání