Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
ESH1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1D M2G

část skladu: 95

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 900mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 15ns,

Seznam přání
ES3F V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3F V7G

část skladu: 133

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK32B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK32B M4G

část skladu: 76

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
US1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1JHM2G

část skladu: 94

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
RS2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2BA R3G

část skladu: 69

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
S1DBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DBHR5G

část skladu: 136

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SK115B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK115B R5G

část skladu: 101

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES1F M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1F M2G

část skladu: 74

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
MUR140SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR140SHM4G

část skladu: 95

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
MUR340SBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340SBHM4G

část skladu: 73

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SK19BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK19BHR5G

část skladu: 90

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SSL14 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL14 M2G

část skladu: 73

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 390mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JHR3G

část skladu: 87

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
SS25HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS25HR5G

část skladu: 91

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S4G V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4G V6G

část skladu: 77

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SK56C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK56C V6G

část skladu: 97

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
HS1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1G M2G

část skladu: 50

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SS12HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12HM2G

část skladu: 71

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS29HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29HR5G

část skladu: 101

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S3DB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3DB M4G

část skladu: 79

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
RS2B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2B M4G

část skladu: 59

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
HS3K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3K V6G

část skladu: 139

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
HS5M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5M V6G

část skladu: 133

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
MUR140SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR140SHR5G

část skladu: 90

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SK315B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK315B M4G

část skladu: 65

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES2GAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GAHM2G

část skladu: 142

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK23AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK23AHM2G

část skladu: 71

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS2MAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2MAHM2G

část skladu: 120

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání
ES2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DA M2G

část skladu: 56

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK215A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK215A M2G

část skladu: 103

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
US1KHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1KHR3G

část skladu: 143

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
SSL32 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL32 V6G

část skladu: 128

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SFF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1603G C0G

část skladu: 66

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 975mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
ES1C M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1C M2G

část skladu: 124

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
HS2A R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2A R5G

část skladu: 54

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
ESH2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2BA M2G

část skladu: 93

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 900mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání