Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
SK55C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK55C V7G

část skladu: 120

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES2CHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CHR5G

část skladu: 53

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK15B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK15B M4G

část skladu: 64

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
HS2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2DA M2G

část skladu: 77

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SK35BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK35BHM4G

část skladu: 91

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SK85C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK85C V6G

část skladu: 139

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2BA R3G

část skladu: 51

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SK25A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK25A M2G

část skladu: 106

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SK55BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK55BHM4G

část skladu: 51

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S1GBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GBHM4G

část skladu: 133

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S10KC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S10KC V6G

část skladu: 140

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS310 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS310 V6G

část skladu: 138

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AHR3G

část skladu: 125

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
SK310BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK310BHM4G

část skladu: 143

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SK520C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK520C V6G

část skladu: 80

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES2GAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GAHR3G

část skladu: 48

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
RS2M M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2M M4G

část skladu: 85

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání
ESH3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3D V6G

část skladu: 111

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 20ns,

Seznam přání
SSL13HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL13HR3G

část skladu: 118

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 390mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2K M4G

část skladu: 87

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SK53C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK53C V6G

část skladu: 84

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ESH3C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3C V7G

část skladu: 131

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 20ns,

Seznam přání
ESH2CA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2CA M2G

část skladu: 125

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 900mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání
S8MC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S8MC V6G

část skladu: 80

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S10MC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S10MC V6G

část skladu: 99

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2BA M2G

část skladu: 88

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK310AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK310AHM2G

část skladu: 137

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES1JF R2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JF R2G

část skladu: 136

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
RS1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AHM2G

část skladu: 48

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
SS15 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS15 M2G

část skladu: 128

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES3G V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3G V6G

část skladu: 51

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK56B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK56B M4G

část skladu: 61

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
MUR310S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR310S V6G

část skladu: 80

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání
SK39A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK39A R3G

část skladu: 77

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS36 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS36 V6G

část skladu: 112

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS39 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS39 V7G

část skladu: 63

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání