Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
HS3F V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3F V6G

část skladu: 141

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
ES1GHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1GHM2G

část skladu: 121

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
MUR315S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V6G

část skladu: 136

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání
S1DB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DB M4G

část skladu: 110

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SK510C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK510C V6G

část skladu: 46

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S1BB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BB R5G

část skladu: 76

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES2CHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CHM4G

část skladu: 132

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK52B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK52B M4G

část skladu: 133

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
MUR460S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR460S V6G

část skladu: 60

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
RS2D M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2D M4G

část skladu: 105

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
SK115BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK115BHR5G

část skladu: 89

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1A M2G

část skladu: 142

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SS215 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS215 M4G

část skladu: 117

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
HS5F V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5F V6G

část skladu: 56

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
HS1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1J M2G

část skladu: 64

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
S10JC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S10JC V6G

část skladu: 64

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS15HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS15HR3G

část skladu: 113

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S4M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4M V6G

část skladu: 54

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
S3BBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3BBHR5G

část skladu: 50

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SSL23HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23HR5G

část skladu: 128

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 410mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS3A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3A V6G

část skladu: 48

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
SK14B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK14B R5G

část skladu: 68

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
HS3J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3J V7G

část skladu: 90

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
SK34B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK34B M4G

část skladu: 140

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SKL13BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SKL13BHR5G

část skladu: 46

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 390mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SK33AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK33AHR3G

část skladu: 131

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SFF1603GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1603GHC0G

část skladu: 104

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 975mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK33BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK33BHM4G

část skladu: 129

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S1KB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KB M4G

část skladu: 57

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S1KB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KB R5G

část skladu: 66

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
MUR160S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160S M4G

část skladu: 139

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
S1KBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KBHR5G

část skladu: 136

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
MUR340S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340S V7G

část skladu: 119

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
MUR160SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160SHR5G

část skladu: 142

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
HS2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2AA M2G

část skladu: 88

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SK39BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK39BHM4G

část skladu: 132

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání