Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
HS3A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3A V6G

část skladu: 76

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
S10GC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S10GC V6G

část skladu: 127

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1D M2G

část skladu: 92

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
ES2FHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FHR5G

část skladu: 135

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
ES2BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2BHR5G

část skladu: 64

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SFF1008GAHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1008GAHC0G

část skladu: 55

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
S5MB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5MB M4G

část skladu: 75

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1A R3G

část skladu: 132

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
S5B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5B V6G

část skladu: 114

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
RS2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2DA M2G

část skladu: 57

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
S2BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2BHR5G

část skladu: 70

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SK56BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK56BHR5G

část skladu: 66

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3D V6G

část skladu: 45

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
ES1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DHM2G

část skladu: 140

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK110BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK110BHM4G

část skladu: 108

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S2DHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2DHR5G

část skladu: 120

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
S1GBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GBHR5G

část skladu: 79

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SSL23 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23 M4G

část skladu: 141

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 410mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S3AB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3AB M4G

část skladu: 55

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SFF1601GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1601GHC0G

část skladu: 42

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 975mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK55C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK55C V6G

část skladu: 56

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES3B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3B V6G

část skladu: 73

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SS12 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12 M2G

část skladu: 129

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S3DBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3DBHR5G

část skladu: 63

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SK520C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK520C V7G

část skladu: 87

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES3A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3A V6G

část skladu: 80

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
ES1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JHM2G

část skladu: 54

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
ES3GB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3GB M4G

část skladu: 110

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.13V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
S5D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5D V6G

část skladu: 68

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.5µs,

Seznam přání
SFF1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1602G C0G

část skladu: 65

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 975mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SK315A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK315A M2G

část skladu: 72

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SK59B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK59B R5G

část skladu: 56

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS24HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS24HM4G

část skladu: 82

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS2DAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2DAHM2G

část skladu: 118

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
S5KB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5KB M4G

část skladu: 133

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES2AHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2AHR5G

část skladu: 140

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání