Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - bipolární (BJT) - pole

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolární (BJT) - pole
NSBA143ZDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA143ZDP6T5G

část skladu: 126178

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1

část skladu: 1451

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114TPDXV6T1

část skladu: 1441

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC114EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T1

část skladu: 1483

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1G

část skladu: 51685

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBA123JDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T1G

část skladu: 3224

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
EMF5XV6T5
ON Semiconductor

EMF5XV6T5

část skladu: 5392

Typ tranzistoru: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, 500mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, 12V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

Seznam přání
NSBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1G

část skladu: 150122

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T5G

část skladu: 158612

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSVB143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB143TPDXV6T1G

část skladu: 118474

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC115EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC115EPDXV6T1G

část skladu: 423

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBA114YDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA114YDXV6T1

část skladu: 1458

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA144WDXV6T1G

část skladu: 112545

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T5G

část skladu: 140654

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
UMA6NT1
ON Semiconductor

UMA6NT1

část skladu: 1476

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
SMUN5114DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5114DW1T1G

část skladu: 172445

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC124XPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124XPDXV6T5G

část skladu: 1491

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
EMD5DXV6T1G
ON Semiconductor

EMD5DXV6T1G

část skladu: 3186

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC143EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143EPDXV6T1

část skladu: 1462

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5334DW1T1G

část skladu: 1472

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5234DW1T1
ON Semiconductor

MUN5234DW1T1

část skladu: 1434

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
EMG2DXV5T1
ON Semiconductor

EMG2DXV5T1

část skladu: 1505

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSB13211DW6T1G
ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

část skladu: 3211

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor

NSVUMC5NT2G

část skladu: 151655

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5312DW1T1G

část skladu: 189298

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC143ZDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1G

část skladu: 189558

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
UMC2NT1G
ON Semiconductor

UMC2NT1G

část skladu: 1438

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
EMD4DXV6T5G
ON Semiconductor

EMD4DXV6T5G

část skladu: 147880

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBA124EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA124EDP6T5G

část skladu: 21627

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání