Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - bipolární (BJT) - pole

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolární (BJT) - pole
MUN5134DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5134DW1T1G

část skladu: 90827

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
SMUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5231DW1T1G

část skladu: 137429

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
EMF5XV6T5G
ON Semiconductor

EMF5XV6T5G

část skladu: 186407

Typ tranzistoru: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, 500mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, 12V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

Seznam přání
NSBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1G

část skladu: 192037

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1

část skladu: 1432

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC115TDP6T5G

část skladu: 145523

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSVMUN5135DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5135DW1T1G

část skladu: 164885

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NUS2401SNT1
ON Semiconductor

NUS2401SNT1

část skladu: 1477

Typ tranzistoru: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 200mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms,

Seznam přání
MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5213DW1T1G

část skladu: 182836

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDP6T5G

část skladu: 114384

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB144EPDXV6T1G

část skladu: 165773

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T5G

část skladu: 1529

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1

část skladu: 1497

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor

NUS2401SNT1G

část skladu: 172039

Typ tranzistoru: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 200mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 175 Ohms, 10 kOhms,

Seznam přání
NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM11156DW6T1G

část skladu: 3218

Typ tranzistoru: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, 65V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

Seznam přání
NSBA143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1

část skladu: 1482

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor

NSTB60BDW1T1

část skladu: 3141

Typ tranzistoru: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Proud - sběratel (Ic) (max.): 150mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1G

část skladu: 163042

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC143EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143EPDP6T5G

část skladu: 123578

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1

část skladu: 1438

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EDP6T5G

část skladu: 164714

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5335DW1T1G

část skladu: 190768

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC124EPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T5G

část skladu: 134086

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5211DW1T1
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1

část skladu: 1438

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1G

část skladu: 1489

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5137DW1T1
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1

část skladu: 1469

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1G

část skladu: 106805

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5336DW1T1G

část skladu: 9982

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBA124XDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124XDXV6T1

část skladu: 1469

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
SMUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5335DW1T1G

část skladu: 189012

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
UMC2NT1
ON Semiconductor

UMC2NT1

část skladu: 1476

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1

část skladu: 1420

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC4DXV5T1G

část skladu: 149530

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor

EMD4DXV6T1G

část skladu: 138481

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T5

část skladu: 1490

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 1 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1G

část skladu: 190887

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání