Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - bipolární (BJT) - pole

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolární (BJT) - pole
NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1

část skladu: 1456

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T5

část skladu: 1405

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor

EMG2DXV5T5

část skladu: 3242

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC115EDXV6T1G

část skladu: 129082

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5316DW1T1G

část skladu: 160200

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1G

část skladu: 136591

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5133DW1T1G

část skladu: 183679

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5316DW1T1
ON Semiconductor

MUN5316DW1T1

část skladu: 1532

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM21156DW6T1G

část skladu: 1463

Typ tranzistoru: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, 65V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

Seznam přání
MUN5130DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5130DW1T1G

část skladu: 181618

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 1 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1G

část skladu: 155743

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 1 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor

NSTB1004DXV5T1G

část skladu: 3211

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

Seznam přání
NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YPDP6T5G

část skladu: 167686

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5230DW1T1
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1

část skladu: 1467

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 1 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5136DW1T1
ON Semiconductor

MUN5136DW1T1

část skladu: 1413

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
UMA4NT1G
ON Semiconductor

UMA4NT1G

část skladu: 1478

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1G

část skladu: 64095

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
SMUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5214DW1T1G

část skladu: 115714

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor

NSVBC114YPDXV65G

část skladu: 1485

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
SMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5230DW1T1G

část skladu: 174998

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 1 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
SMUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5131DW1T1G

část skladu: 110079

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBA144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA144EDP6T5G

část skladu: 162633

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1G

část skladu: 3198

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5315DW1T1G

část skladu: 150495

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1

část skladu: 1458

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5212DW1T1
ON Semiconductor

MUN5212DW1T1

část skladu: 1497

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T1G

část skladu: 188714

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1G

část skladu: 130128

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB123JPDXV6T1G

část skladu: 107622

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA115TDP6T5G

část skladu: 146030

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
MUN5232DW1T1
ON Semiconductor

MUN5232DW1T1

část skladu: 1444

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1

část skladu: 1461

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor

EMD5DXV6T5G

část skladu: 162821

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA114YDP6T5G

část skladu: 197883

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor

NSVUMC2NT1G

část skladu: 193262

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání
SMUN5235DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T3G

část skladu: 170254

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání