Tranzistory - bipolární (BJT) - pole

Domov
Tranzistory - bipolární (BJT) - pole

ON Semiconductor

SMUN5116DW1T1G

část skladu: 119414

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

SMUN5211DW1T1G

část skladu: 152766

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVMUN5333DW1T3G

ON Semiconductor

NSVMUN5333DW1T3G

část skladu: 107424

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

SMUN5232DW1T1G

část skladu: 125478

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

EMG2DXV5T5G

část skladu: 175728

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NSB4904DW1T1G

část skladu: 119540

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

SMUN5330DW1T1G

část skladu: 197015

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 1 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

MUN5235DW1T1G

část skladu: 143243

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSTB1002DXV5T1G

ON Semiconductor

NSTB1002DXV5T1G

část skladu: 198611

Typ tranzistoru: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, 200mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, 40V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NSBA114TDP6T5G

část skladu: 172501

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVMUN5233DW1T3G

ON Semiconductor

NSVMUN5233DW1T3G

část skladu: 143904

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

MUN5136DW1T1G

část skladu: 137681

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NSVIMD10AMT1G

část skladu: 27

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 500mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 13 kOhms, 130 Ohms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

Seznam přání

NSVMUN5111DW1T3G

ON Semiconductor

NSVMUN5111DW1T3G

část skladu: 166215

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVBC124EPDXV6T1G

ON Semiconductor

NSVBC124EPDXV6T1G

část skladu: 133

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVMUN5314DW1T3G

ON Semiconductor

NSVMUN5314DW1T3G

část skladu: 172202

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSBA124XDXV6T1G

ON Semiconductor

NSBA124XDXV6T1G

část skladu: 140822

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSBC114TDXV6T1G

ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T1G

část skladu: 164848

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

MUN5132DW1T1G

část skladu: 128735

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVBC114EDXV6T1G

ON Semiconductor

NSVBC114EDXV6T1G

část skladu: 179563

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

SMUN5311DW1T2G

část skladu: 124246

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVMUN5312DW1T3G

ON Semiconductor

NSVMUN5312DW1T3G

část skladu: 121655

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVMUN5211DW1T2G

ON Semiconductor

NSVMUN5211DW1T2G

část skladu: 121426

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

IMH20TR1G

část skladu: 119987

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 600mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 15V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Seznam přání

NSBC144EDXV6T5G

ON Semiconductor

NSBC144EDXV6T5G

část skladu: 180837

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

EMC2DXV5T1G

část skladu: 188232

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVBC124XPDXV6T1G

ON Semiconductor

NSVBC124XPDXV6T1G

část skladu: 173078

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVB1706DMW5T1G

ON Semiconductor

NSVB1706DMW5T1G

část skladu: 192009

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NSBC144WDP6T5G

část skladu: 114076

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

MUN5116DW1T1G

část skladu: 183614

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

MUN5314DW1T1G

část skladu: 187882

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVMUN5214DW1T3G

ON Semiconductor

NSVMUN5214DW1T3G

část skladu: 125398

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

NSVMUN5331DW1T1G

ON Semiconductor

NSVMUN5331DW1T1G

část skladu: 187285

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NSBA144WDP6T5G

část skladu: 115037

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T1

část skladu: 1409

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NSBA123TDP6T5G

část skladu: 110663

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Seznam přání

317

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
»