Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

část skladu: 163646

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

část skladu: 164701

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 25V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

část skladu: 120803

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

část skladu: 32260

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

část skladu: 152834

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

část skladu: 179080

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

část skladu: 111335

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 6ns,

Seznam přání
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

část skladu: 106669

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

část skladu: 155089

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

část skladu: 142318

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání
BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

část skladu: 170231

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

část skladu: 136941

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 70V, Current - Average Rectified (Io): 70mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

část skladu: 34922

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

část skladu: 34902

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

část skladu: 101393

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

část skladu: 123083

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

část skladu: 116833

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

část skladu: 158520

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 2400V, Current - Average Rectified (Io): 350mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 3.6V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 5µs,

Seznam přání
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

část skladu: 193530

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 100ns,

Seznam přání
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

část skladu: 170950

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

část skladu: 122124

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

část skladu: 153002

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 600mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 400mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 6ns,

Seznam přání
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

část skladu: 121947

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

část skladu: 187035

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

část skladu: 129989

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Seznam přání
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

část skladu: 171441

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 30ns,

Seznam přání
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

část skladu: 152678

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

část skladu: 122331

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

část skladu: 144972

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

část skladu: 183532

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

část skladu: 134544

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 600mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 400mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 6ns,

Seznam přání
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

část skladu: 169957

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 30ns,

Seznam přání
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

část skladu: 177773

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

část skladu: 121386

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.5V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

část skladu: 139081

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 165V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.07V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

část skladu: 181381

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.07V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání