Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
BAV21WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-G3-08

část skladu: 174085

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR

část skladu: 113865

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání
BYG21K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR

část skladu: 165220

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 120ns,

Seznam přání
BAS16D-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-E3-08

část skladu: 126850

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 6ns,

Seznam přání
BAT54W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-G3-08

část skladu: 125289

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/97

část skladu: 128278

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
BAV21WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-18

část skladu: 143333

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BAS281-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS281-GS08

část skladu: 182315

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 30mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání
BAS16WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-HE3-18

část skladu: 192905

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 6ns,

Seznam přání
BYW36-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TAP

část skladu: 135103

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-200-E3/97

část skladu: 138454

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
BYM36E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TAP

část skladu: 193769

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 2.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.78V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
BYV28-600-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TR

část skladu: 134642

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BAS170WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-18

část skladu: 133505

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 70V, Current - Average Rectified (Io): 70mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání
BAQ335-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ335-TR

část skladu: 190878

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 125V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání
BYV27-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TR

část skladu: 153878

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.07V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání
BAS83-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS83-GS08

část skladu: 115843

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 30mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání
BY228-15TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TAP

část skladu: 193803

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Seznam přání
BAV21-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TAP

část skladu: 150982

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/97

část skladu: 109607

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
BAQ133-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ133-GS08

část skladu: 147679

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání
BAT54-02V-V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-18

část skladu: 175247

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání
BAV301-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV301-TR

část skladu: 119517

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BAS20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-E3-18

část skladu: 176831

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 200mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BYV28-100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TAP

část skladu: 163502

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 30ns,

Seznam přání
B360A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360A-E3/61T

část skladu: 170389

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
BYG10YHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/H

část skladu: 23260

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání
BA157GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157GP-E3/54

část skladu: 181076

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
BAS16WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-G3-08

část skladu: 190132

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 6ns,

Seznam přání
BAV19WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-HE3-08

část skladu: 102266

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BAS21-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-E3-08

část skladu: 101367

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 200mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BAV21W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-HE3-08

část skladu: 110111

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BAT46W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-G3-08

část skladu: 105403

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 150mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 250mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání
BAV100-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV100-GS08

část skladu: 115219

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
BYT78-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TAP

část skladu: 181219

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
BYG10G-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR

část skladu: 136486

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.15V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4µs,

Seznam přání