Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

SISS40DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS40DN-T1-GE3

část skladu: 132140

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 36.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

SIS892ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS892ADN-T1-GE3

část skladu: 153441

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 28A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

SQS462EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS462EN-T1_GE3

část skladu: 176128

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.3A, 10V,

Seznam přání

SI2309CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2309CDS-T1-GE3

část skladu: 133640

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345 mOhm @ 1.25A, 10V,

Seznam přání

SIR632DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR632DP-T1-RE3

část skladu: 46133

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 29A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

SUD50N04-8M8P-4GE3

Vishay Siliconix

SUD50N04-8M8P-4GE3

část skladu: 180869

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Ta), 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ444EP-T1_GE3

část skladu: 136708

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

SI3483CDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3483CDV-T1-E3

část skladu: 163997

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-E3

část skladu: 132173

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

SISS70DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS70DN-T1-GE3

část skladu: 7742

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 125V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.5A (Ta), 31A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V,

Seznam přání

SQJ431AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ431AEP-T1_GE3

část skladu: 7752

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305 mOhm @ 3.8A, 10V,

Seznam přání

SI4168DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4168DY-T1-GE3

část skladu: 139862

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SIS476DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS476DN-T1-GE3

část skladu: 139920

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

SI2312BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2312BDS-T1-E3

část skladu: 129611

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 4.5V,

Seznam přání

SIJ478DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ478DP-T1-GE3

část skladu: 100614

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SQS401ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS401ENW-T1_GE3

část skladu: 7505

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

SI8816EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8816EDB-T2-E1

část skladu: 154242

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 1A, 10V,

Seznam přání

SIR414DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR414DP-T1-GE3

část skladu: 93996

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SQ4080EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4080EY-T1_GE3

část skladu: 136730

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHU7N60E-GE3

část skladu: 83621

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Seznam přání

SI3430DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-GE3

část skladu: 180804

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

Seznam přání

SQ4435EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4435EY-T1_GE3

část skladu: 7729

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

Seznam přání

SQ4410EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4410EY-T1_GE3

část skladu: 118930

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

SQJ858EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ858EP-T1_GE3

část skladu: 7678

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

Seznam přání

SIR820DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR820DP-T1-GE3

část skladu: 7711

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

SQD100N02-3M5L_GE3

Vishay Siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

část skladu: 7693

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

SQJA94EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA94EP-T1_GE3

část skladu: 165168

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 46A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-E3

část skladu: 180858

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHD2N80E-GE3

část skladu: 7705

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

Seznam přání

SIJ462DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ462DP-T1-GE3

část skladu: 115885

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 46.5A(Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SQJ840EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ840EP-T1_GE3

část skladu: 101267

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 10.3A, 10V,

Seznam přání

SQ4153EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4153EY-T1_GE3

část skladu: 7793

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V,

Seznam přání

SI4630DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-GE3

část skladu: 99320

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SIRA58ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

část skladu: 7640

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32.3A (Ta), 109A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

SI7686DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7686DP-T1-GE3

část skladu: 96713

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V,

Seznam přání

SQJ464EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ464EP-T1_GE3

část skladu: 5838

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.1A, 10V,

Seznam přání

3600

«
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
»