Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

SI4126DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4126DY-T1-GE3

část skladu: 61700

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 39A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

SIR870DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR870DP-T1-GE3

část skladu: 60973

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SIR826DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR826DP-T1-RE3

část skladu: 7967

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SUD19N20-90-T4-E3

Vishay Siliconix

SUD19N20-90-T4-E3

část skladu: 49898

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 19A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHD7N60E-E3

část skladu: 76161

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI1032R-T1-GE3

část skladu: 195024

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 140mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI7430DP-T1-E3

část skladu: 61538

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 26A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUD40N10-25-E3

část skladu: 44764

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

Seznam přání

SQJ457EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ457EP-T1_GE3

část skladu: 184399

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 36A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2312CDS-T1-GE3

část skladu: 162492

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8 mOhm @ 5A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-E3

část skladu: 57412

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SQM90142E_GE3

část skladu: 44244

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHF12N60E-GE3

část skladu: 50457

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání

SIHJ8N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHJ8N60E-T1-GE3

část skladu: 69561

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUD40151EL-GE3

část skladu: 7913

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 42A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 17.5A, 10V,

Seznam přání

SI2333CDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2333CDS-T1-E3

část skladu: 105597

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.1A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Seznam přání

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2308BDS-T1-GE3

část skladu: 119268

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1.9A, 10V,

Seznam přání

SQ4401EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4401EY-T1_GE3

část skladu: 57436

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V,

Seznam přání

SIR846ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR846ADP-T1-GE3

část skladu: 67682

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHU7N60E-E3

část skladu: 74123

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI4456DY-T1-E3

část skladu: 68718

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 33A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SQD90P04-9M4L_GE3

Vishay Siliconix

SQD90P04-9M4L_GE3

část skladu: 60943

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 17A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

TP0610K-T1-GE3

část skladu: 190872

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 185mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

SIR826DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR826DP-T1-GE3

část skladu: 51964

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4190ADY-T1-GE3

část skladu: 82342

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

SIS413DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS413DN-T1-GE3

část skladu: 136739

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

SI2372DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2372DS-T1-GE3

část skladu: 142591

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), 5.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

SI7898DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7898DP-T1-GE3

část skladu: 37995

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V,

Seznam přání

SIA400EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA400EDJ-T1-GE3

část skladu: 108266

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 11A, 4.5V,

Seznam přání

SQM40P10-40L_GE3

Vishay Siliconix

SQM40P10-40L_GE3

část skladu: 8011

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V,

Seznam přání

SI7636DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7636DP-T1-GE3

část skladu: 58750

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

SIDR402DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIDR402DP-T1-GE3

část skladu: 5860

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 64.6A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SIR882DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR882DP-T1-GE3

část skladu: 60907

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SQJ461EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ461EP-T1_GE3

část skladu: 52002

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 14.4A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUM70060E-GE3

část skladu: 62874

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 131A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

SQJQ404E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ404E-T1_GE3

část skladu: 8038

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.72 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

3600

«
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
»