Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

SIE816DF-T1-GE3

část skladu: 1050

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 19.8A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI4778DY-T1-E3

část skladu: 131631

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUM70090E-GE3

část skladu: 39022

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUP60N02-4M5P-E3

část skladu: 1148

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI3410DV-T1-E3

část skladu: 1042

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRFR120PBF

část skladu: 75564

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI5858DU-T1-GE3

část skladu: 1079

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUD50P04-23-E3

část skladu: 1146

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.2A (Ta), 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUD50N02-09P-E3

část skladu: 971

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI4320DY-T1-E3

část skladu: 1065

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI2311DS-T1-GE3

část skladu: 1004

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI3454ADV-T1-GE3

část skladu: 998

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI4646DY-T1-E3

část skladu: 1014

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI7448DP-T1-GE3

část skladu: 1117

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 22A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIR876DP-T1-GE3

část skladu: 990

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI7392DP-T1-E3

část skladu: 1086

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.75 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI9410BDY-T1-GE3

část skladu: 1076

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.1A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI5484DU-T1-GE3

část skladu: 1098

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI7446BDP-T1-GE3

část skladu: 1126

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 19A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIE804DF-T1-GE3

část skladu: 1119

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 37A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 7.6A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUP90N04-3M3P-GE3

část skladu: 28917

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 22A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIR406DP-T1-GE3

část skladu: 1061

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUM90N08-7M6P-E3

část skladu: 1103

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI7156DP-T1-GE3

část skladu: 1063

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI3447BDV-T1-GE3

část skladu: 1064

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI2341DS-T1-GE3

část skladu: 1087

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.8A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUD50N03-06P-E3

část skladu: 1099

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 84A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI7392ADP-T1-E3

část skladu: 1057

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUP18N15-95-E3

část skladu: 1092

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI7382DP-T1-GE3

část skladu: 1045

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 24A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI1413DH-T1-GE3

část skladu: 1053

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIS436DN-T1-GE3

část skladu: 189955

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI3805DV-T1-E3

část skladu: 183769

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI1488DH-T1-GE3

část skladu: 1024

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.1A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRFIBE30GPBF

část skladu: 27281

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.1A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.3A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI7170DP-T1-GE3

část skladu: 66663

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání