| Typ | Popis |
| Stav součásti | Obsolete |
|---|---|
| Typ FET | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 6A (Tc) |
| Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Vgs (max.) | ±8V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Funkce FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Ztrátový výkon (max.) | 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balíček zařízení dodavatele | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Balení / pouzdro | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
