Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

SI7317DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7317DN-T1-GE3

část skladu: 140959

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHFR1N60A-GE3

část skladu: 9973

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Seznam přání

SUM110N03-04P-E3

Vishay Siliconix

SUM110N03-04P-E3

část skladu: 1412

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 110A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHD6N62E-GE3

část skladu: 10246

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

SIE820DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE820DF-T1-GE3

část skladu: 1474

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 18A, 4.5V,

Seznam přání

SI3476DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3476DV-T1-GE3

část skladu: 108008

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 3.5A, 10V,

Seznam přání

SIRA52DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA52DP-T1-GE3

část skladu: 118887

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

SI3443CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3443CDV-T1-GE3

část skladu: 193900

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.97A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRFP460APBF

část skladu: 17996

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

SI2371EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2371EDS-T1-GE3

část skladu: 147875

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

Seznam přání

SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS435DNT-T1-GE3

část skladu: 181027

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 13A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI8439DB-T1-E1

část skladu: 114810

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

SI7812DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7812DN-T1-GE3

část skladu: 73609

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.2A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI7463DP-T1-E3

část skladu: 62425

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V,

Seznam přání

SQ7415AENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ7415AENW-T1_GE3

část skladu: 9941

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

Seznam přání

SI7655DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7655DN-T1-GE3

část skladu: 93051

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SI2319DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2319DDS-T1-GE3

část skladu: 9907

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.7A, 10V,

Seznam přání

SUP90N06-5M0P-E3

Vishay Siliconix

SUP90N06-5M0P-E3

část skladu: 1405

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

část skladu: 10077

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRFR9010TRLPBF

část skladu: 108086

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRFS11N50APBF

část skladu: 23664

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHP25N40D-GE3

část skladu: 21622

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání

SI5441BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5441BDC-T1-GE3

část skladu: 139892

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

Seznam přání

SI3437DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3437DV-T1-GE3

část skladu: 195411

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

Seznam přání

SQ3481EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3481EV-T1_GE3

část skladu: 9951

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.3A, 10V,

Seznam přání

SIR460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR460DP-T1-GE3

část skladu: 139904

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

SIR172ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

část skladu: 167026

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SUD45P03-10-E3

část skladu: 1457

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHD6N80E-GE3

část skladu: 12856

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

SQJ433EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ433EP-T1_GE3

část skladu: 9965

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 16A, 10V,

Seznam přání

SIR662DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR662DP-T1-GE3

část skladu: 76185

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SI3469DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3469DV-T1-GE3

část skladu: 153423

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.7A, 10V,

Seznam přání

SQJA80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA80EP-T1_GE3

část skladu: 136685

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

SIJ438DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ438DP-T1-GE3

část skladu: 95214

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SQJ463EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ463EP-T1_GE3

část skladu: 47733

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 18A, 10V,

Seznam přání

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7114ADN-T1-GE3

část skladu: 191391

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18A, 10V,

Seznam přání

3600

«
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
»