Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
SIA448DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

část skladu: 169988

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12.4A, 4.5V,

Seznam přání
SI4404DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4404DY-T1-E3

část skladu: 1527

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 23A, 10V,

Seznam přání
SI4434DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4434DY-T1-GE3

část skladu: 68716

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání
IRFI624GPBF
Vishay Siliconix

IRFI624GPBF

část skladu: 1532

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 10V,

Seznam přání
SIE832DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE832DF-T1-GE3

část skladu: 43943

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

Seznam přání
IRLZ14S
Vishay Siliconix

IRLZ14S

část skladu: 1538

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

Seznam přání
SI4386DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4386DY-T1-GE3

část skladu: 159083

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Seznam přání
IRFR210PBF
Vishay Siliconix

IRFR210PBF

část skladu: 69131

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Seznam přání
SQ4182EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4182EY-T1_GE3

část skladu: 10824

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 14A, 10V,

Seznam přání
SI4455DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4455DY-T1-E3

část skladu: 73600

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání
SI4412ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4412ADY-T1-E3

část skladu: 1496

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Seznam přání
SI4426DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4426DY-T1-E3

část skladu: 108121

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

Seznam přání
SUP75N03-04-E3
Vishay Siliconix

SUP75N03-04-E3

část skladu: 1524

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

Seznam přání
SUD35N05-26L-E3
Vishay Siliconix

SUD35N05-26L-E3

část skladu: 1474

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SI4425BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4425BDY-T1-GE3

část skladu: 78344

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

Seznam přání
IRF9530PBF
Vishay Siliconix

IRF9530PBF

část skladu: 45568

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

Seznam přání
SI4800BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4800BDY-T1-E3

část skladu: 126818

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V,

Seznam přání
SI4464DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-E3

část skladu: 159052

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.2A, 10V,

Seznam přání
SI4100DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4100DY-T1-GE3

část skladu: 125140

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.4A, 10V,

Seznam přání
SUD23N06-31L-E3
Vishay Siliconix

SUD23N06-31L-E3

část skladu: 118954

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SI4010DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4010DY-T1-GE3

část skladu: 167778

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 31.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
IRL520PBF
Vishay Siliconix

IRL520PBF

část skladu: 63689

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 5V,

Seznam přání
SI4831BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4831BDY-T1-E3

část skladu: 1596

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9433BDY-T1-GE3

část skladu: 100195

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

Seznam přání
SQ4425EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4425EY-T1_GE3

část skladu: 10789

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání
SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4483EY-T1_GE3

část skladu: 10770

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SI4103DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4103DY-T1-GE3

část skladu: 10820

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Ta), 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SQ4483BEEY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4483BEEY-T1_GE3

část skladu: 10837

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
IRFDC20PBF
Vishay Siliconix

IRFDC20PBF

část skladu: 29452

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 320mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 190mA, 10V,

Seznam přání
SIHH28N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH28N60E-T1-GE3

část skladu: 10451

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 29A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 14A, 10V,

Seznam přání
SI4888DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-E3

část skladu: 1502

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Seznam přání
SI7790DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7790DP-T1-GE3

část skladu: 49817

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SI4884BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-E3

část skladu: 128225

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
IRFP460NPBF
Vishay Siliconix

IRFP460NPBF

část skladu: 1584

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání
SUD50N06-07L-E3
Vishay Siliconix

SUD50N06-07L-E3

část skladu: 1499

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 96A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SI4143DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4143DY-T1-GE3

část skladu: 81402

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání