Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

IRF820APBF

IRF820APBF

část skladu: 38368

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání
SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

část skladu: 32210

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání
IRLR110TR

IRLR110TR

část skladu: 49100

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V,

Seznam přání
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

část skladu: 9619

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 36A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 18A, 10V,

Seznam přání
SIHG47N65E-GE3

SIHG47N65E-GE3

část skladu: 8326

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 47A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 24A, 10V,

Seznam přání
SIHG25N40D-E3

SIHG25N40D-E3

část skladu: 17916

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání
IRFSL9N60APBF

IRFSL9N60APBF

část skladu: 23181

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Seznam přání
SQP120N06-6M7_GE3

SQP120N06-6M7_GE3

část skladu: 2653

Seznam přání
IRFP340PBF

IRFP340PBF

část skladu: 12790

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6.6A, 10V,

Seznam přání
IRFBF20PBF

IRFBF20PBF

část skladu: 38953

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V,

Seznam přání
IRFBC40STRLPBF

IRFBC40STRLPBF

část skladu: 27773

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

Seznam přání
IRLIZ44GPBF

IRLIZ44GPBF

část skladu: 23195

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 18A, 5V,

Seznam přání
IRLI640GPBF

IRLI640GPBF

část skladu: 23166

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5.9A, 5V,

Seznam přání
SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

část skladu: 16582

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Seznam přání
SUP70060E-GE3

SUP70060E-GE3

část skladu: 32061

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 131A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
SIHG25N60EFL-GE3

SIHG25N60EFL-GE3

část skladu: 12747

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 12.5A, 10V,

Seznam přání
IRFI630GPBF

IRFI630GPBF

část skladu: 30480

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 10V,

Seznam přání
SIHG44N65EF-GE3

SIHG44N65EF-GE3

část skladu: 6837

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 46A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 22A, 10V,

Seznam přání
SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3

část skladu: 4285

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 40A, 10V,

Seznam přání
IRF820STRLPBF

IRF820STRLPBF

část skladu: 70388

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání
IRFI9630GPBF

IRFI9630GPBF

část skladu: 24184

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.6A, 10V,

Seznam přání
SQM35N30-97_GE3

SQM35N30-97_GE3

část skladu: 4333

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
IRFPE50PBF

IRFPE50PBF

část skladu: 18401

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4.7A, 10V,

Seznam přání
SIHG61N65EF-GE3

SIHG61N65EF-GE3

část skladu: 5021

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 64A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 30.5A, 10V,

Seznam přání
IRL640SPBF

IRL640SPBF

část skladu: 38971

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 5V,

Seznam přání
IRF630SPBF

IRF630SPBF

část skladu: 39238

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

Seznam přání
SQM40031EL_GE3

SQM40031EL_GE3

část skladu: 44229

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3

část skladu: 5334

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 73A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 36A, 10V,

Seznam přání
SQM200N04-1M1L_GE3

SQM200N04-1M1L_GE3

část skladu: 35096

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
IRF840ASPBF

IRF840ASPBF

část skladu: 35253

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Seznam přání
IRFPS38N60LPBF

IRFPS38N60LPBF

část skladu: 4024

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 38A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 23A, 10V,

Seznam přání
IRF610STRLPBF

IRF610STRLPBF

část skladu: 75468

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V,

Seznam přání
IRFP140PBF

IRFP140PBF

část skladu: 19857

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 31A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 19A, 10V,

Seznam přání
SIHP21N60EF-GE3

SIHP21N60EF-GE3

část skladu: 16541

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176 mOhm @ 11A, 10V,

Seznam přání
IRFBF30STRLPBF

IRFBF30STRLPBF

část skladu: 34551

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V,

Seznam přání
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3

část skladu: 6887

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 47A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 24A, 10V,

Seznam přání