Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
SIS110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS110DN-T1-GE3

část skladu: 212

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání
SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

část skladu: 270

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 79A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SIRA80DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA80DP-T1-RE3

část skladu: 291

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SI7155DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7155DP-T1-GE3

část skladu: 220

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SI8401DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8401DB-T1-E1

část skladu: 139882

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

Seznam přání
SIR626DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR626DP-T1-RE3

část skladu: 81219

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SIR167DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR167DP-T1-GE3

část skladu: 225

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SIA413ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA413ADJ-T1-GE3

část skladu: 219

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

Seznam přání
SIS106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS106DN-T1-GE3

část skladu: 264

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.8A (Ta), 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání
SI7137DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7137DP-T1-GE3

část skladu: 66464

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
SI4408DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4408DY-T1-GE3

část skladu: 41762

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 10V,

Seznam přání
SI4423DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4423DY-T1-GE3

část skladu: 57367

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

Seznam přání
SISS42DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS42DN-T1-GE3

část skladu: 256

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SI4431BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4431BDY-T1-GE3

část skladu: 148689

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.5A, 10V,

Seznam přání
SIB417EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB417EDK-T1-GE3

část skladu: 176135

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Seznam přání
SI4866DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4866DY-T1-GE3

část skladu: 69518

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

Seznam přání
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR392DP-T1-GE3

část skladu: 257

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 82A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SI4862DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4862DY-T1-E3

část skladu: 41807

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 16V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Seznam přání
SI7454DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7454DP-T1-GE3

část skladu: 64945

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 7.8A, 10V,

Seznam přání
SIA110DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA110DJ-T1-GE3

část skladu: 258

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.4A (Ta), 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání
SI8401DB-T1-E3
Vishay Siliconix

SI8401DB-T1-E3

část skladu: 66637

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

Seznam přání
SI4436DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4436DY-T1-GE3

část skladu: 176138

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.6A, 10V,

Seznam přání
SI4864DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4864DY-T1-E3

část skladu: 32930

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

Seznam přání
SI7862ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-E3

část skladu: 30529

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 16V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Seznam přání
SI7423DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7423DN-T1-E3

část skladu: 103399

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 11.7A, 10V,

Seznam přání
SI4864DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4864DY-T1-GE3

část skladu: 32968

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

Seznam přání
SISS27ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS27ADN-T1-GE3

část skladu: 192126

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SISH129DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH129DN-T1-GE3

část skladu: 261

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14.4A (Ta), 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V,

Seznam přání
SI7804DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7804DN-T1-GE3

část skladu: 132089

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SI4413DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413DDY-T1-GE3

část skladu: 225

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SI1022R-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1022R-T1-GE3

část skladu: 149176

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 330mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání
SI4413ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413ADY-T1-GE3

část skladu: 57351

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání
SI7326DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7326DN-T1-E3

část skladu: 199704

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SIA106DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA106DJ-T1-GE3

část skladu: 209

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Ta), 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání
SI3460BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3460BDV-T1-GE3

část skladu: 199675

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Seznam přání
SI4442DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4442DY-T1-E3

část skladu: 44342

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 22A, 10V,

Seznam přání