Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7104DN-T1-E3

část skladu: 70460

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V,

Seznam přání
SI4368DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-GE3

část skladu: 43176

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
SIRA12BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA12BDP-T1-GE3

část skladu: 248

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 27A (Ta), 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-GE3

část skladu: 171482

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Seznam přání
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-GE3

část skladu: 33676

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SIRA90DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

část skladu: 245

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SISS67DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS67DN-T1-GE3

část skladu: 244

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SI7230DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-GE3

část skladu: 113255

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

Seznam přání
SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA12ADN-T1-GE3

část skladu: 187703

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

část skladu: 193041

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 58A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR166DP-T1-GE3

část skladu: 110153

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR670DP-T1-GE3

část skladu: 130549

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SIR165DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR165DP-T1-GE3

část skladu: 258

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7806ADN-T1-GE3

část skladu: 113283

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

Seznam přání
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix

IRFI830GPBF

část skladu: 37055

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.1A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

Seznam přání
SIE808DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-GE3

část skladu: 35066

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA01DN-T1-GE3

část skladu: 265

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22.4A (Ta), 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-GE3

část skladu: 57373

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-E3

část skladu: 52849

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Seznam přání
SI7862ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

část skladu: 30546

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 16V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Seznam přání
SIRA00DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

část skladu: 237

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

část skladu: 249

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 51A (Ta), 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

část skladu: 199708

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SIHA17N80E-E3
Vishay Siliconix

SIHA17N80E-E3

část skladu: 13653

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Seznam přání
SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P03-07_GE3

část skladu: 30993

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
SIR182DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR182DP-T1-RE3

část skladu: 255

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
SIR140DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR140DP-T1-RE3

část skladu: 261

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 71.9A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-GE3

část skladu: 122281

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

Seznam přání
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR680DP-T1-RE3

část skladu: 66462

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-GE3

část skladu: 44771

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Seznam přání
SIR180DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR180DP-T1-RE3

část skladu: 219

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32.4A (Ta), 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SIR108DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR108DP-T1-RE3

část skladu: 232

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12.4A (Ta), 45A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA60DP-T1-GE3

část skladu: 111133

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
SIS184DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

část skladu: 251

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

část skladu: 296

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668DP-T1-RE3

část skladu: 64154

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání