Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - bipolární (BJT) - pole

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolární (BJT) - pole
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

část skladu: 138883

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

část skladu: 1489

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

část skladu: 1507

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

část skladu: 1480

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

část skladu: 181191

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

část skladu: 1463

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

část skladu: 1523

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1968(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968(TE85L,F)

část skladu: 134854

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4982,LF(CT

část skladu: 158270

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN4606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4606(TE85L,F)

část skladu: 9902

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905(T5L,F,T)

část skladu: 1375

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1911FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911FETE85LF

část skladu: 142375

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN4902FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902FE(TE85L,F)

část skladu: 1489

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1908(T5L,F,T)

část skladu: 5402

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2502(TE85L,F)

část skladu: 9911

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2910(T5L,F,T)

část skladu: 1510

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2706JE(TE85L,F)

část skladu: 185153

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN4986(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4986(T5L,F,T)

část skladu: 1620

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968FE(TE85L,F)

část skladu: 3218

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2902FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902FE(T5L,F,T)

část skladu: 1475

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1607(TE85L,F)

část skladu: 116281

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2712JE(TE85L,F)

část skladu: 178049

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN1906FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906FE(T5L,F,T)

část skladu: 1636

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905,LF

část skladu: 1491

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961FE(TE85L,F)

část skladu: 1446

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE(T5L,F,T)

část skladu: 1466

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN4905T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4905T5LFT

část skladu: 3212

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN4904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904(T5L,F,T)

část skladu: 1532

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1501(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1501(TE85L,F)

část skladu: 179912

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2971(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2971(TE85L,F)

část skladu: 187083

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN4610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4610(TE85L,F)

část skladu: 196797

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4990(T5L,F,T)

část skladu: 196989

Typ tranzistoru: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1909(T5L,F,T)

část skladu: 1368

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN1967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1967FE(TE85L,F)

část skladu: 1500

Typ tranzistoru: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání
RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2713JE(TE85L,F)

část skladu: 125460

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Seznam přání
RN2966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2966FE(TE85L,F)

část skladu: 3147

Typ tranzistoru: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Seznam přání