Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Texas Instruments

CSD25501F3T

část skladu: 25305

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD15380F3T

část skladu: 198409

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 500mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190 mOhm @ 100mA, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25213W10

část skladu: 116507

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 1A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17382F4

část skladu: 120890

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 500mA, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD23202W10T

část skladu: 155754

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD23285F5T

část skladu: 185252

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 1A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD23280F3T

část skladu: 135142

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18504Q5A

část skladu: 177977

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 17A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD13380F3

část skladu: 176607

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16404Q5A

část skladu: 168237

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21A (Ta), 81A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17309Q3

část skladu: 156654

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Ta), 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 18A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18540Q5B

část skladu: 67662

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 28A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17382F4T

část skladu: 195986

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 500mA, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18501Q5A

část skladu: 100862

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17551Q5A

část skladu: 179129

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 48A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 11A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18540Q5BT

část skladu: 42030

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 28A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD13381F4T

část skladu: 165664

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17381F4T

část skladu: 144152

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 500mA, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25483F4

část skladu: 144306

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 500mA, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17307Q5A

část skladu: 190878

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Ta), 73A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 11A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17313Q2

část skladu: 170829

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18503Q5A

část skladu: 127319

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 19A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 22A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25480F3T

část skladu: 153462

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 400mA, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16406Q3

část skladu: 158578

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 19A (Ta), 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18537NQ5A

část skladu: 106190

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18533Q5A

část skladu: 127318

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 18A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19533Q5A

část skladu: 121932

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17483F4T

část skladu: 122574

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19531Q5AT

část skladu: 59729

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 16A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17551Q3A

část skladu: 136111

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 11A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19534Q5A

část skladu: 172649

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18543Q3AT

část skladu: 118711

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6 mOhm @ 12A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD23382F4

část skladu: 169533

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18563Q5A

část skladu: 100788

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 18A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18532Q5B

část skladu: 69282

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17381F4

část skladu: 171942

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 500mA, 8A,

Seznam přání

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»