Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Texas Instruments

CSD18542KTTT

část skladu: 36474

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Ta), 170A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18503KCS

část skladu: 41469

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18510Q5BT

část skladu: 42665

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96 mOhm @ 32A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19536KTT

část skladu: 23209

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD13306WT

část skladu: 108720

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

TPS1100D

část skladu: 38187

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19531KCS

část skladu: 33304

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 60A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19502Q5BT

část skladu: 40523

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 19A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17575Q3T

část skladu: 85093

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17555Q5A

část skladu: 97865

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19532KTTT

část skladu: 23220

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 90A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17581Q5AT

část skladu: 113015

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Ta), 123A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 16A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18536KCS

část skladu: 14803

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

TPS1101DR

část skladu: 73839

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

TPS1101PWR

část skladu: 75502

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.18A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16415Q5

část skladu: 63803

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 40A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17302Q5A

část skladu: 174398

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Ta), 87A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 14A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25304W1015T

část skladu: 198583

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17505Q5A

část skladu: 97774

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18514Q5AT

část skladu: 114274

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 89A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25404Q3

část skladu: 157558

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 104A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19501KCS

část skladu: 33180

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 60A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19536KCS

část skladu: 14108

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

TPS1100PWR

část skladu: 40040

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.27A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19536KTTT

část skladu: 15225

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19534KCS

část skladu: 46065

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17312Q5

část skladu: 70136

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 38A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 35A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18532NQ5B

část skladu: 70876

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16340Q3T

část skladu: 103637

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19532Q5B

část skladu: 65333

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 17A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19535KTTT

část skladu: 22830

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16408Q5

část skladu: 117032

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Ta), 113A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17578Q5A

část skladu: 169477

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17311Q5

část skladu: 79702

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17304Q3

část skladu: 179341

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), 56A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 17A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17303Q5

část skladu: 90699

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 8V,

Seznam přání

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»