Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Texas Instruments

CSD17310Q5A

část skladu: 186196

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17322Q5A

část skladu: 175024

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 87A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 14A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25301W1015

část skladu: 1570

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 1A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18511Q5AT

část skladu: 72702

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 159A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 24A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16410Q5A

část skladu: 168761

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Ta), 59A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 17A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

TPS1100DR

část skladu: 110675

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16409Q3

část skladu: 183562

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 17A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16413Q5A

část skladu: 126395

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 24A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16342Q5A

část skladu: 160946

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 20A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD13302WT

část skladu: 172294

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18512Q5B

část skladu: 87999

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 211A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16412Q5A

část skladu: 122662

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Ta), 52A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD19533KCS

část skladu: 40073

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 55A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25202W15

část skladu: 127847

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 2A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17318Q2

část skladu: 9956

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 8A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD13306W

část skladu: 148806

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD22204W

část skladu: 144639

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 2A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25501F3

část skladu: 9957

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16322Q5C

část skladu: 132465

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21A (Ta), 97A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD15571Q2

část skladu: 136906

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD23203W

část skladu: 167971

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16407Q5C

část skladu: 82138

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD13303W1015

část skladu: 183258

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 31A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD13302W

část skladu: 105207

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17318Q2T

část skladu: 9963

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 8A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25211W1015

část skladu: 143770

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD16408Q5C

část skladu: 106348

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Ta), 113A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD17313Q2T

část skladu: 181581

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 8V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25303W1015

část skladu: 1058

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18533Q5AT

část skladu: 71045

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 18A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18541F5T

část skladu: 159917

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25201W15

část skladu: 921

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2A, 4.5V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18504KCS

část skladu: 47320

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 53A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 40A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD18537NKCS

část skladu: 53545

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

TPS1101D

část skladu: 25491

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

Texas Instruments

CSD25302Q2

část skladu: 884

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V,

Seznam přání

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»