Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
1N5818 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818 R1G

část skladu: 99

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5404GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5404GHA0G

část skladu: 123

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5818HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818HA0G

část skladu: 110

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5821 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821 A0G

část skladu: 157

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1T6G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1T6G A0G

část skladu: 140

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4007GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4007GHB0G

část skladu: 85

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4004G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004G B0G

část skladu: 95

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5400G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400G B0G

část skladu: 90

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5401GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5401GHB0G

část skladu: 169

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4007G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4007G B0G

část skladu: 91

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4002G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002G A0G

část skladu: 95

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4002GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002GHA0G

část skladu: 168

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5817 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 R1G

část skladu: 84

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4936GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936GHB0G

část skladu: 91

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1N4002G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002G R1G

část skladu: 151

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4003G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003G R1G

část skladu: 142

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5818HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818HB0G

část skladu: 124

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1T5G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1T5G R0G

část skladu: 145

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4006G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006G B0G

část skladu: 134

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5406GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406GHB0G

část skladu: 84

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5402GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5402GHB0G

část skladu: 152

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5400GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400GHB0G

část skladu: 121

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5819 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819 B0G

část skladu: 176

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5821 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821 B0G

část skladu: 117

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4004GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004GHR1G

část skladu: 140

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4934G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934G R1G

část skladu: 85

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1N5407GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5407GHA0G

část skladu: 150

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4934GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHR1G

část skladu: 110

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1T2G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1T2G A1G

část skladu: 150

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4001G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4001G B0G

část skladu: 103

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5399G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399G A0G

část skladu: 127

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4001G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4001G R1G

část skladu: 107

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4001GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4001GHA0G

část skladu: 85

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N5820 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820 B0G

část skladu: 165

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 475mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1T4G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1T4G R0G

část skladu: 103

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1T4G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1T4G A1G

část skladu: 143

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání