Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

1N4004GHA0G

část skladu: 172

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819 R1G

část skladu: 176

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400GHA0G

část skladu: 105

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1T1G A0G

část skladu: 157

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933G R1G

část skladu: 169

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1T1G R0G

část skladu: 87

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819HR1G

část skladu: 116

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006G A0G

část skladu: 155

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4001G A0G

část skladu: 163

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818 B0G

část skladu: 161

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006GHB0G

část skladu: 173

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1T2G R0G

část skladu: 131

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004G A0G

část skladu: 135

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4001GHB0G

část skladu: 85

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937GHR1G

část skladu: 150

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937G R1G

část skladu: 172

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5822HB0G

část skladu: 102

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 525mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934G B0G

část skladu: 84

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003GHR1G

část skladu: 114

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1T5G A1G

část skladu: 135

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817HA0G

část skladu: 131

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408GHA0G

část skladu: 111

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5401G B0G

část skladu: 80

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820HB0G

část skladu: 95

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 475mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005G R1G

část skladu: 133

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935GHA0G

část skladu: 107

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936G R1G

část skladu: 116

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937G B0G

část skladu: 80

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4007GHR1G

část skladu: 159

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937GHA0G

část skladu: 131

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933GHA0G

část skladu: 103

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1T3G A1G

část skladu: 173

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936G B0G

část skladu: 108

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934G A0G

část skladu: 155

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5822HA0G

část skladu: 138

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 525mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1T4G A0G

část skladu: 128

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání